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晶体管
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2N5262

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 75cbo 50Vceo 5.0Vebo 2.0 1.0W
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¥30.2727
15136.35
1,000
¥28.589
28589
2,000
¥27.5042
55008.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.8 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5262
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1000 mA, 1 V
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5262 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N5262的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT
1:¥62.1613
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晶体管
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1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7967
250:¥1.7967
1,000:¥1.3899
参考库存:2372
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4909
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥93.3606
10:¥83.9816
25:¥76.5349
50:¥71.303
参考库存:1281
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:8948
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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