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晶体管
IPW60R018CFD7XKSA1参考图片

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IPW60R018CFD7XKSA1

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库存:5,236(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥150.3013
150.3013
5
¥148.6854
743.427
10
¥138.6171
1386.171
25
¥132.3908
3309.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
101 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
251 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
416 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
220 ns
典型接通延迟时间
80 ns
零件号别名
IPW60R018CFD7 SP001715618
商品其它信息
优势价格,IPW60R018CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 20A 600V
1:¥202.0101
5:¥199.9422
10:¥186.337
25:¥177.9637
参考库存:3168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:15675
晶体管
MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:38687
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:75589
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:28056
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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