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晶体管
SPD30P06PGBTMA1参考图片

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SPD30P06PGBTMA1

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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
2,500
¥4.5313
11328.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD30P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
G SP000441776 SPD30P06P SPD3P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SPD30P06PGBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:9862
晶体管
IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:8564
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:14256
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT HID Application
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
1,000:¥3.9889
2,500:¥3.9889
参考库存:17063
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:24280
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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