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晶体管
SQD100N02_3M5L4GE3参考图片

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SQD100N02_3M5L4GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252
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库存:42,037(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥4.1245
10311.25
5,000
¥3.9211
19605.5
10,000
¥3.7742
37742
25,000
¥3.6612
91530
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay
正向跨导 - 最小值
186 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,SQD100N02_3M5L4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
参考库存:8101
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:19353
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥45.9458
10:¥41.4936
25:¥39.5726
100:¥34.352
1,700:¥25.1312
3,400:查看
参考库存:5570
晶体管
MOSFET 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
800:¥22.8938
2,400:查看
参考库存:8357
晶体管
MOSFET 60V, 195A, 1.9 mOhm 172 nC Qg, Logic Lvl
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
参考库存:17864
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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