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晶体管
IPA65R190CFDXKSA2参考图片

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IPA65R190CFDXKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：41,389(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥14.1363
7068.15
1,000
¥11.9102
11910.2
2,500
¥11.30
28250
5,000
¥10.9158
54579
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPA65R190CFD
商品其它信息
优势价格，IPA65R190CFDXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTD723YMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
1:¥2.9945
10:¥2.1018
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
8,000:¥0.5763
24,000:查看
参考库存:40720
DRC9115G0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40725
DRC9144T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40730
SN7002N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:40735
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥29.1992
10:¥26.1256
25:¥23.5153
50:¥22.4418
参考库存:40740

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    50万现货SKU

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