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晶体管
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IRGIB6B60KDPBF

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数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.9104
3977.6
500
¥14.2154
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
高度
16 mm
长度
10.6 mm
宽度
4.8 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001533840
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3507A
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥170.8899
250:¥156.8327
500:¥149.2956
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2N4871
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥17.7523
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:12740
JANTXV2N3637L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥150.9115
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500:¥131.8597
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Advanced Linear Devices
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100:¥40.8043
250:¥35.6515
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参考库存:36032
2N5154L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥112.1864
250:¥102.4232
500:¥92.208
1,000:¥85.5184
参考库存:36037

  • 海量现货

    50万现货SKU

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