您好！欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

BSM150GB120DLC

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：34,417(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,164.8153
1164.8153
5
¥1,136.8478
5684.239
10
¥1,108.5752
11085.752
25
¥1,093.049
27326.225
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM150GB120DLCHOSA1 SP000100723
商品其它信息
优势价格，BSM150GB120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥26.3516
100:¥24.6679
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:40506
0405SC-100M
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥3,613.5592
参考库存:40511
STW62N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
1:¥103.508
10:¥95.2025
25:¥91.2136
50:¥86.2868
参考库存:10051
2N2812
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥730.9066
参考库存:40518
JAN2N5339U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,137.6162
参考库存:40523

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话：0755-82331103

手机：13048971103

传真：0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址：深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们