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晶体管
2SA1163-BL,LF参考图片

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2SA1163-BL,LF

  • Toshiba
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.36838
1105.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 120 V
集电极—基极电压 VCBO
- 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 300 mV
增益带宽产品fT
100 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SA1163
直流电流增益 hFE 最大值
700
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,2SA1163-BL,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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45,000:¥0.5537
99,000:¥0.52997
参考库存:64144
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    50万现货SKU

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