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晶体管
SSM3J118TU,LF参考图片

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SSM3J118TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J118TU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
优势价格，SSM3J118TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
6MS16017P43W40383
Infineon Technologies
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10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:52381

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    50万现货SKU

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