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晶体管
NVMFS6H852NT1G参考图片

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NVMFS6H852NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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库存:79,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4862
64.862
100
¥4.9833
498.33
500
¥4.407
2203.5
1,500
¥3.0849
4627.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
14.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
39.5 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS6H852NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2885
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:11675
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:2572
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS3 Trench IGBT
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:5259
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:4586
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:17408
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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