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晶体管
IPDD60R102G7XTMA1参考图片

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IPDD60R102G7XTMA1

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数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.1994
331.994
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.2782
6819.55
1,700
¥19.5942
33310.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HDSOP-10
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
102 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1700
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPDD60R102G7 SP001632832
商品其它信息
优势价格,IPDD60R102G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 120-240
1:¥3.2996
10:¥2.9945
100:¥1.9775
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:37116
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:3533
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:22920
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.3732
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
5,000:¥2.7572
参考库存:48942
晶体管
MOSFET P-channel -30 V, 0.01 Ohm typ., -12.5 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:14179
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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