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晶体管
IPI084N06L3GXKSA1参考图片

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IPI084N06L3GXKSA1

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库存:9,834(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4467
744.67
500
¥6.5766
3288.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
G IPI084N06L3 SP001065242
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IPI084N06L3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
1:¥18.3625
10:¥15.2889
100:¥11.8311
500:¥10.3734
800:¥8.6106
参考库存:8623
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥140.5381
10:¥127.7126
25:¥118.1754
50:¥111.8022
参考库存:5285
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg
1:¥25.3572
10:¥21.5943
100:¥18.6676
250:¥17.7523
500:¥15.9104
800:¥13.7521
参考库存:13422
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0145 Ohm typ 30A STripFET VII
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:5014
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC
1:¥13.447
10:¥11.3678
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.6331
参考库存:8486
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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