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晶体管

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US6M2GTR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2.5v Nch+Pch 6pin TUMT6; w/G-S Diode
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
4949.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TUMT-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A, 1 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms, 280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC, 2.1 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
6 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 9 ns
商品其它信息
优势价格,US6M2GTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
500:¥20.2835
参考库存:5138
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.3786
参考库存:26443
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4845
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SURFACE MOUNT
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:18642
晶体管
MOSFET N&P-Channel MOSFET, SOP-8 package
4,000:¥1.6498
参考库存:26452
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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