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晶体管
BSC120N03MSGATMA1参考图片

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BSC120N03MSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:14,456(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8758
1875.8
5,000
¥1.8758
9379
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
7.9 ns
零件号别名
BSC120N03MS BSC12N3MSGXT G SP000311516
单位重量
605 mg
商品其它信息
优势价格,BSC120N03MSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:43742
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.893
参考库存:4249
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V
1:¥577.2944
5:¥566.695
10:¥552.0163
25:¥541.2587
参考库存:4266
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 60V 15W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
参考库存:15263
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
2,000:¥0.33787
参考库存:79240
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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