SIHP180N60E-GE3详细参数_参考价格_SIHP180N60E-GE3 PDF资料_Vishay / Siliconix

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AB-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	19 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	22 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	156 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	E
晶体管类型	1 N-Channel E-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	5.3 S
下降时间	23 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	49 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
P15F50HP2-5600	Shindengen	晶体管	PDF数据手册	MOSFET High Switching Speed High Voltage	1:¥20.9728 10:¥18.1365 100:¥16.2155 250:¥15.142	参考库存:38928
TSB772CK	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor	1:¥4.3053 10:¥3.3787 100:¥2.3165 500:¥1.5933 1,000:¥1.1978	参考库存:38933
SMP3994	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET P-Channel 25V 15Vgs 10Vds -2.0mA	569:¥11.9102 1,000:¥9.831 2,500:¥8.8366 10,000:¥8.4524	参考库存:38938
DTC124EEBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:38943
BC858B	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	3,000:¥0.20792 12,000:¥0.20792 24,000:¥0.18419 45,000:¥0.16159 99,000:¥0.13786	参考库存:38948