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晶体管
DMG1013UW-7参考图片

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DMG1013UW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
820 mA
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
622.4 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG1013
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
20.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DMG1013UW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
5,000:¥1.4464
参考库存:128037
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
参考库存:23919
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4576
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥9.605
10:¥7.91
100:¥6.102
500:¥5.2432
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
参考库存:15198
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3325
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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