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晶体管
ZXTP07040DFFTA参考图片

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ZXTP07040DFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
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库存:31,407(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP07040
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 80 at 3 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTP07040DFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1,500:¥13.447
4,500:¥12.9046
参考库存:10218
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:47671
晶体管
MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥35.3464
10:¥29.2783
100:¥24.1255
250:¥23.3571
500:¥20.9728
3,000:¥20.9728
参考库存:17725
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:47678
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:47683
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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