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晶体管
IPD50R399CPATMA1参考图片

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IPD50R399CPATMA1

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数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥11.3678
113.678
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.9891
3994.55
2,500
¥6.1585
15396.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
399 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPD50R399CP SP001117700
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50R399CPATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:44520
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双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
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20,000:¥0.62263
参考库存:44530
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50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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