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产品分类

晶体管

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FS50R17KE3_B17

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
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库存:2,148(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥883.2758
883.2758
5
¥865.9077
4329.5385
10
¥825.4876
8254.876
25
¥808.1986
20204.965
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
82 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
345 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R17KE3B17BOSA1 SP000091942
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FS50R17KE3_B17的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:6355
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:5452
晶体管
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:47729
晶体管
IGBT 晶体管 SA2TIGBT TO247 30A 1500V
1:¥47.0984
10:¥40.0359
100:¥34.7362
250:¥32.883
参考库存:12281
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
800:¥10.5994
参考库存:6508
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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