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晶体管
IPB019N08N3 G参考图片

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IPB019N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:1,779(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.5728
43.5728
10
¥37.0414
370.414
100
¥32.0468
3204.68
250
¥30.4309
7607.725
1,000
¥23.052
23052
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
103 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPB019N08N3GATMA1 IPB19N8N3GXT SP000444110
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB019N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4126
2,000:¥3.4126
参考库存:23124
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:6436
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:83818
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:33430
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.43053
参考库存:89862
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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