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晶体管
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STGWT60H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，STGWT60H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2PC4617RM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
10,000:¥0.2147
20,000:¥0.20001
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:46327
SMP6550
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 50mA 400mW 2.3mW
124:¥52.8614
500:¥48.1832
1,000:¥41.9569
参考库存:46332
STGIF7CH60TS-E
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块
1:¥84.9873
10:¥76.7609
25:¥73.224
100:¥63.5512
参考库存:46337
AFV09P350-04GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,497.0014
参考库存:46342
SUM50N03-13LC-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 50A 83W w/Sense Terminal
800:¥8.2264
2,400:¥7.684
4,800:¥7.4015
9,600:¥7.1077
参考库存:46347

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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