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晶体管
IRL530NSTRRPBF参考图片

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IRL530NSTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms
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库存:3,660(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
800
¥3.9211
3136.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
SP001552584
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,IRL530NSTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
1:¥7.1416
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
3,000:¥3.8985
参考库存:33430
晶体管
MOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
2,500:¥3.1866
参考库存:21617
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
2,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:71214
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR NPN
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:44171
晶体管
MOSFET 30V N+P Ch MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7854
参考库存:17338
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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