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晶体管
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QH8MA3TCR

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 30V N+P Ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1019
41.019
100
¥2.6442
264.42
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥1.7854
5356.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A, 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC, 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.7 S, 3.3 S
下降时间
5.7 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns, 8 ns
零件号别名
QH8MA3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGLQ100A120TG
Microsemi
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IGBT 模块
100:¥590.9787
参考库存:50249
IPB100N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
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1,000:¥10.9158
2,000:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:50254
TSM70N750CH C5G
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晶体管
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15,000:¥4.7121
参考库存:50259
PD55008L-E
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3,000:¥62.1613
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晶体管
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500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
2,500:¥7.7631
5,000:¥7.5145
参考库存:50269

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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