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晶体管
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RJP020N06T100

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1
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6.5314
10
¥5.4127
54.127
100
¥3.4917
349.17
1,000
¥2.8024
2802.4
2,000
¥2.3617
4723.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
RJP020N06
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
类型
MOSFET
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
RJP020N06
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，RJP020N06T100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥5.3788
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6,000:查看
参考库存:46067
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暂无价格
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250:¥1,281.0019
参考库存:46077

  • 海量现货

    50万现货SKU

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