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晶体管
BSS314PE H6327参考图片

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BSS314PE H6327

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库存:5,480(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
107 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS314
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
零件号别名
BSS314PEH6327XT BSS314PEH6327XTSA1 SP000928944
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS314PE H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:21754
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥14.5996
800:¥14.5996
参考库存:40521
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 450A
1:¥1,327.2528
5:¥1,295.3642
10:¥1,263.1705
25:¥1,245.4973
参考库存:4343
晶体管
MOSFET NFET 30V .56A 1500M
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29945
参考库存:462115
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:255622
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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