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产品分类

晶体管
IRG4BC40UPBF参考图片

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IRG4BC40UPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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库存:9,016(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001541308
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC40UPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥1.11418
参考库存:28380
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.04525
参考库存:28385
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms
1:¥34.804
10:¥29.5834
100:¥25.6623
250:¥24.3628
4,000:¥16.8257
参考库存:28390
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSP LOW VCES 30V NPN XTR
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:28395
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
50,000:¥0.33787
参考库存:28400
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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