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晶体管
RQ3E120BNTB参考图片

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RQ3E120BNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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库存:4,449(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.08367
3251.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
RQ3E120BN
单位重量
5.577 g
商品其它信息
优势价格,RQ3E120BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
1:¥35.7306
10:¥30.3518
100:¥26.2838
250:¥24.973
500:¥22.3627
800:¥22.3627
参考库存:4219
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 22kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:104096
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥23.4362
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
1,000:¥12.4526
2,000:查看
参考库存:6438
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
2,500:¥0.43053
8,000:¥0.36838
参考库存:75440
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:6502
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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