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产品分类

晶体管
NGTB30N135IHRWG参考图片

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NGTB30N135IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII TO-24
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库存:3,486(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥33.3463
333.463
100
¥28.8941
2889.41
250
¥27.4364
6859.1
500
¥24.5888
12294.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB30N135IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N135IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:84251
晶体管
MOSFET N-channel 650 V MDMesh
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
参考库存:6688
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor PNP
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
3,000:¥2.1018
参考库存:36400
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
1:¥53.6298
10:¥48.4883
25:¥46.1831
100:¥40.115
参考库存:5207
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:6779
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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