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晶体管
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2N6432

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mW
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2,000
¥12.9837
25967.4
4,000
¥12.4526
49810.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 mA, 10 V
Pd-功率耗散
500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N6432 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N6432的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT15GP60KG
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥44.9514
10:¥36.1148
25:¥35.4255
100:¥32.883
参考库存:22793
DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥1.07576
参考库存:22798
APT20M20JFLL
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥354.1533
5:¥343.4748
10:¥333.4065
25:¥312.5806
参考库存:22803
DMN3018SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
3,000:¥0.99101
9,000:¥0.92208
参考库存:92400
SI7636DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥12.2944
500:¥11.526
1,000:¥10.5316
3,000:¥9.5259
参考库存:17402

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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