图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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50:¥878.2021
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参考库存:39690
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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250:¥1,121.864
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参考库存:39676
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,097.7385
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参考库存:39663
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥597.1259
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参考库存:39612
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥329.3385
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参考库存:39548
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥2,955.8088
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参考库存:39541
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥646.5295
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参考库存:39515
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,036.2665
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参考库存:39498
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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暂无价格
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参考库存:39459
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥878.2021
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参考库存:39454
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥987.9364
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参考库存:39444
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
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1:¥945.2111
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参考库存:6102
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥445.1296
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参考库存:39418
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
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1:¥528.049
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参考库存:6341
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1:¥211.1518 200:¥211.1518
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参考库存:8061
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥518.67
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参考库存:39157
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥7,143.2046
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参考库存:39150
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥878.2021
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参考库存:39121
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,281.0019
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参考库存:39104
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥427.0044
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参考库存:39097
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