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集成电路 - IC

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TH58NYG2S3HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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库存:38,367(价格仅供参考)
数量单价合计
210
¥31.5044
6615.924
420
¥31.3462
13165.404
630
¥29.3574
18495.162
1,050
¥28.1257
29531.985
2,520
¥26.3516
66406.032
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TH58NYG2S3HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
集成电路 - IC
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1:¥27.9675
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100:¥20.5886
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1:¥84.9082
10:¥76.9982
25:¥72.3878
50:¥69.6984
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模拟比较器 Dual Differential
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
2,000:¥3.1527
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1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
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1:¥40.1828
25:¥31.5044
50:¥27.12
1,000:¥23.4362
2,000:¥22.2836
参考库存:3672
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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