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无线和射频半导体
CGH60120D-GP4参考图片

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CGH60120D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
120 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
5.26 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH60120D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 31DBM GAAS AMP
1:¥75.9925
10:¥67.9243
25:¥61.1669
50:¥58.2402
1,000:¥36.273
参考库存:6781
无线和射频半导体
RFID应答器 NT3H2211W0FHK/XQFN8(U)///REEL 7 Q3 NDP
1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
4,000:¥2.9945
参考库存:51753
无线和射频半导体
射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 20.8dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:24705
无线和射频半导体
RF 开关 IC 100-3000MHz SP8T IL .45dB Iso >31dB
1:¥19.8993
10:¥17.8992
25:¥16.1364
50:¥15.368
3,000:¥12.4526
参考库存:59947
无线和射频半导体
射频放大器 HV7 900MHZ 15W PQFN8X8
1:¥279.1552
5:¥264.1036
10:¥260.2616
25:¥241.4358
1,000:¥191.1056
参考库存:4674
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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