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无线和射频半导体
HMC-ALH313-SX参考图片

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HMC-ALH313-SX

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-33 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
27 GHz to 33 GHz
P1dB - 压缩点
12 dBm
增益
20 dB
工作电源电压
2.5 V
NF—噪声系数
3 dB
工作电源电流
52 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH313
封装
Waffle
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
2
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH313-SX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU BLE and IEEE 802.15.4
3,000:¥24.973
参考库存:45255
无线和射频半导体
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500:¥43.4146
1,000:¥35.2673
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无线和射频半导体
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4,000:¥25.7414
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无线和射频半导体
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260:¥26.9731
520:¥24.0464
1,040:¥20.2835
2,600:¥19.2891
参考库存:45270
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 23.5-6000MHz Fractional/IntegerN
2,500:¥52.9405
参考库存:59767
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