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无线和射频半导体
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D2019UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
100
¥131.5546
13155.46
250
¥131.0122
32753.05
500
¥130.7071
65353.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 5 V
商品其它信息
优势价格,D2019UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL HIGH PERF FREQUENCY SYNTHESIZER SYSTEM
1:¥89.8237
10:¥82.5239
25:¥78.2977
100:¥69.7662
250:¥66.3084
参考库存:2663
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:19640
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/434MHz Superheterodyne Rcvr
1:¥38.2618
10:¥34.804
25:¥25.9674
500:¥25.7414
1,000:¥19.2891
参考库存:2967
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6GHz SP3T IL .45dB -40C +105C
1:¥8.3733
10:¥7.5597
25:¥6.5314
100:¥5.8986
3,000:¥3.4917
参考库存:15094
无线和射频半导体
射频前端 Quad Hi-Speed Ultra- sound RTZ Pulser
1:¥137.3854
10:¥135.3966
25:¥114.4916
100:¥104.0391
参考库存:2681
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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