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无线和射频半导体
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D2008UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
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¥213.6152
25633.824
270
¥208.6206
56327.562
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
配置
Single
高度
4.95 mm
长度
9.4 mm
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2008UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF461BG
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥337.0225
2:¥327.8808
5:¥318.8069
10:¥309.6652
参考库存:2873
BGA924N6E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥7.6049
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
15,000:¥2.8476
参考库存:73205
ARF477FL
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥751.4952
2:¥728.2172
5:¥727.9799
10:¥704.5437
参考库存:2897
STA680D
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频接收器
1:¥106.4234
10:¥97.8128
25:¥93.8239
100:¥82.603
参考库存:32587
TDK5116F
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频发射器 ASK/FSK TRANSMITTER 10 PIN PKG
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
5,000:¥5.1189
参考库存:27864

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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