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无线和射频半导体
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PTFB182503FL-V2-R250

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数量单价合计
250
¥823.8039
205950.975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB182503FL-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SLRC61003HNY
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频前端 SLRC61003HN/HVQFN32///REEL 13 Q1 DP
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
6,000:¥18.7467
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HMC680LP4E
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1:¥107.2709
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25:¥94.5923
100:¥83.2923
参考库存:4864
HMC-ALH102
Analog Devices / Hittite
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100:¥409.3312
参考库存:4946
ZL70550LDF1
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无线和射频半导体
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1:¥32.1937
10:¥25.8996
100:¥23.5944
250:¥21.2892
4,000:¥13.9894
参考库存:34551
MAX1479ATE+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频发射器 300MHz - 450MHz ASK/FSK Transmitter
1:¥16.7466
25:¥13.1419
50:¥11.3678
250:¥11.1418
参考库存:6388

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    50万现货SKU

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