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无线和射频半导体
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GTVA263202FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:34,444(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥1,866.1385
93306.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
配置
Dual Common Source
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA263202FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 16B Ultra-Lo-Pwr MCU
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥38.4991
100:¥34.4989
2,500:¥25.199
参考库存:14374
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥6.4523
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
15,000:¥2.4408
参考库存:78406
无线和射频半导体
射频放大器 IF Dig Controlled Variable-Gain Amp
1:¥80.7611
25:¥57.5509
250:¥53.562
500:¥53.0987
参考库存:5328
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=2.5 Ohms Cj=.12pF Rated 200V
1:¥15.7522
10:¥14.1363
25:¥12.8368
100:¥11.3678
参考库存:5655
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1014N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥99.0445
10:¥91.0554
25:¥87.0552
100:¥76.9191
1,000:¥60.9296
参考库存:6412
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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