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无线和射频半导体

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980	¥70.6137	69201.426

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	射频放大器
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-32
类型	DVGA
工作频率	3.4 GHz to 3.8 GHz
P1dB - 压缩点	24 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	5.9 dB
测试频率	3.6 GHz
OIP3 - 三阶截点	37 dBm
工作电源电流	220 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
系列	F0448
封装	Tray
商标	IDT
通道数量	2 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	1.5 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	FlatNoise

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MA4P1200NM-401T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 Vr 100 Vdc Max 1.5pF Rs= .75 Ohms Max.	1:¥81.6764 10:¥63.6981 25:¥57.1667 100:¥50.6353 1,000:¥42.488	参考库存:6789
MICRF002YM	Microchip Technology / Micrel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz RF Receiver With Shutdown	1:¥19.6733 10:¥19.3682 25:¥18.0574 100:¥16.3624	参考库存:5636
2SK3078A(TE12L,F)	Toshiba	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS	1:¥11.4469 10:¥9.2208 100:¥7.0738 500:¥6.2263 1,000:¥4.9155	参考库存:6688
MMRF1305HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V	1:¥635.3877 5:¥623.0933 10:¥602.5047 25:¥576.9893 50:¥569.0793	参考库存:4565
CC2564BRVMR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Bluetooth Cntlr	1:¥38.3409 10:¥34.4198 100:¥28.2048 250:¥26.4307 2,500:¥19.21	参考库存:7922