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无线和射频半导体
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D2004UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
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¥673.9659
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100
¥655.3661
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
58 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2004UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CLA4611-000
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN LIMITER CHIP
1:¥24.5097
10:¥22.0576
25:¥19.8993
50:¥18.8258
参考库存:2519
BFU520R
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:18446
CC1310F64RGZR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 433 868 915 MHz ULP Wireless MCU
1:¥48.3301
10:¥43.4937
100:¥35.5724
250:¥33.3463
2,500:¥24.2837
参考库存:31251
ADRF6602ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 1550-2150MHz Intg Fractnl-N PLL & VCO
1:¥150.5273
5:¥145.4536
10:¥140.233
25:¥133.4756
750:¥102.4232
参考库存:5128
BFU580GX
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:10830

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    50万现货SKU

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