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无线和射频半导体
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PTVA092407NF-V1-R5

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库存:33,386(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥548.8636
274431.8
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
增益
22 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HBSOF-4-1
封装
Reel
工作频率
869 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA092407NF-V1-R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2538
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr=250VDC Cj=.2pF Rs=.7 Ohms
100:¥10.7576
200:¥10.0683
参考库存:6390
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:87837
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz GaN 12Watt Sm Sig. Gain 22dB
50:¥660.824
100:¥545.564
参考库存:2644
无线和射频半导体
射频放大器 GP AMPLIFIER
1:¥2.147
10:¥1.7402
100:¥1.1865
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.791
参考库存:21316
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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