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无线和射频半导体
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QPD2194SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.1 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
371 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2194PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD2194SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC609
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 2 - 4 GHz
25:¥319.1911
100:¥298.6025
250:¥288.3082
参考库存:27841
CY8C4128LQI-BL553
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC4
1:¥48.6352
10:¥43.7197
25:¥39.8777
50:¥36.8041
参考库存:27846
HMC370LP4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 x4 Active mult SMT, 14.4 - 16.4 GHz Fout
1:¥272.1718
5:¥257.2558
10:¥251.0408
25:¥225.6045
参考库存:27851
MC12080DR2G
ON Semiconductor
无线和射频半导体
预定标器 1.1GHz 预定标器
2,500:¥19.436
参考库存:27856
AT0603T04ECAS3
American Technical Ceramics (ATC)
无线和射频半导体
衰减器 4db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥209.8523
10:¥192.2582
25:¥174.811
50:¥165.8162
参考库存:27861

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