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无线和射频半导体
PTVA123501EC-V2-R250参考图片

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PTVA123501EC-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:31,917(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥3,941.1236
985280.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
150 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
17 dB
输出功率
350 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.35 V
商品其它信息
优势价格,PTVA123501EC-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC External Antenna SiP Module
1:¥62.5455
10:¥57.7882
25:¥52.9405
50:¥50.7144
参考库存:3631
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:1653
无线和射频半导体
射频前端 2400-2485MHz BLE FEM Pout 10dBm
1:¥12.7577
10:¥11.526
25:¥10.2943
100:¥9.2208
4,500:¥5.1076
参考库存:5305
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLE 4.1 SOC Ultra Low Power
1:¥34.4989
10:¥31.8886
25:¥29.1992
50:¥27.9675
4,000:¥24.5888
参考库存:20512
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IEEE 802.15.4 2.4 GHz SoC
1:¥46.1831
10:¥43.5728
25:¥42.3411
50:¥41.0303
2,000:¥34.578
参考库存:11119
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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