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无线和射频半导体
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D2201UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
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¥370.753
18537.65
100
¥360.5378
36053.78
250
¥355.385
88846.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2201UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AVX
无线和射频半导体
衰减器 0603 7dB
1:¥43.7197
10:¥42.9513
20:¥40.8834
50:¥40.1828
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
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PIN 二极管 Ls=.45nH SOD-882 Single
1:¥3.2996
10:¥2.8815
100:¥2.147
500:¥1.695
3,000:¥1.1639
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射频放大器 Dual Output lo Noise amp , 0.04-0.96GHz
1:¥43.957
10:¥39.5726
100:¥32.431
250:¥30.736
500:¥27.5833
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无线和射频半导体
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1:¥62.6246
10:¥56.3192
25:¥53.0196
50:¥49.7878
参考库存:4798
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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