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无线和射频半导体
PTFB211503FL-V2-R250参考图片

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PTFB211503FL-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥652.5976
163149.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
增益
18 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB211503FL-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LT5534ESC6#TRPBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 3GHz Log Amp 射频检测器
1:¥87.3716
25:¥57.9351
100:¥47.8668
250:¥45.4938
2,500:¥41.4936
参考库存:13818
ADRF6516ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 31MHz Dual Prog Filters & VGA
1:¥142.4591
5:¥137.7018
10:¥132.775
25:¥126.4018
1,500:¥96.9766
参考库存:10705
F1192BNLGK
IDT
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥90.8294
10:¥82.5239
25:¥76.3767
50:¥74.3088
参考库存:7467
TGL2209
Qorvo
无线和射频半导体
射频无线杂项 8-12GHz 50W GaAs IL <.5dB
50:¥224.0677
100:¥181.5006
250:¥165.206
500:¥150.3013
参考库存:5519
WF200SC
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器
1:¥30.2727
10:¥29.6625
25:¥29.1201
50:¥28.589
参考库存:6441

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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