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无线和射频半导体
PTFC262157FH-V1-R250参考图片

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PTFC262157FH-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥945.6744
236418.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288G-4/2
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC262157FH-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXV1220S-4DBN3-T02
Susumu
无线和射频半导体
衰减器 4.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1:¥190.2581
10:¥163.3641
25:¥147.1486
100:¥128.4019
200:¥112.7966
参考库存:5002
SKY67023-396LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 2.0-3.0GHz NF .89dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:5779
HMC395
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block Chip, DC - 4 GHz
50:¥190.8683
100:¥181.3424
250:¥172.9691
500:¥164.5958
参考库存:4631
74HC4046ADB,118
Nexperia
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.6444
2,000:¥4.6443
参考库存:7643
SMA3117-TL-H
ON Semiconductor
无线和射频半导体
射频放大器 SI MMIC FU=3.0GHZ
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:44750

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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