您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
MHT1002NR3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MHT1002NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:30,103(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,475.6331
368908.275
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
增益
20 dB
输出功率
350 W
封装
Reel
工作频率
915 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935323605528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
优势价格,MHT1002NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF Bluetooth SMART SOC with USB BLE
1:¥32.1146
10:¥28.815
100:¥23.5944
250:¥22.1254
500:¥20.0575
参考库存:5971
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 15.4 Wireless Microcontroller
1:¥41.6518
10:¥35.4255
100:¥30.736
250:¥29.1201
1,000:¥22.0576
参考库存:7383
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
参考库存:13610
无线和射频半导体
射频放大器 50-1218MHz 75 Ohm NF <3dB Gain 15 dB
1:¥189.953
25:¥161.5222
100:¥137.7696
250:¥109.271
1,000:¥71.2352
参考库存:5027
无线和射频半导体
射频放大器 2.7GHz 4dB 5V 125mA
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6557
参考库存:11694
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们