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无线和射频半导体
PTVA101K02EV-V1-R250参考图片

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PTVA101K02EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:29,513(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥4,926.3706
1231592.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
1030 MHz / 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA101K02EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥687.944
参考库存:36808
无线和射频半导体
PIN 二极管 Diodes (Pin)~~RFMW
85:¥70.3086
100:¥63.4721
250:¥58.3193
500:¥53.1778
参考库存:36813
无线和射频半导体
RF 开关 IC
10:¥4,650.741
参考库存:36818
无线和射频半导体
衰减器 MMT20303H/HVQFN16///REEL 7 Q2 NDP
1,000:¥26.9731
2,000:¥25.9674
参考库存:36823
无线和射频半导体
射频放大器 CATV Amp, MCM, GaN, 1.2GHz, 28dB, 1k pcs
100:¥169.2062
参考库存:36828
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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