HMC442LM1TR详细参数_参考价格_HMC442LM1TR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LM1-8
类型	Medium Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	17.5 GHz to 24 GHz
P1dB - 压缩点	21.5 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	6.5 dB
OIP3 - 三阶截点	27 dBm
工作电源电流	85 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC442G
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	10 dB
Pd-功率耗散	0.491 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SN74LV4046ADR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Hi-Spd CMOS Logic PLL w/VCO	1:¥10.4525 10:¥8.9157 100:¥6.8478 500:¥6.0455 2,500:¥4.2375	参考库存:12899
SBF5089Z	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-500MHz SSG 20.5dB NF 2.8dB	1:¥47.8668 25:¥36.6572 100:¥28.6568 250:¥23.7413 500:¥21.2892 1,000:¥18.7467	参考库存:5071
MC14046BDWG	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL LOG CMOS PLL	1:¥6.4523 10:¥5.3562 100:¥3.4578 1,000:¥2.7685	参考库存:10488
ARF460AG	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥322.4229 2:¥313.6654 5:¥304.9757 10:¥296.2182	参考库存:4185
R2005300L	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5-200MHz NF 5dB Gain 30.5dB	1:¥192.2582 25:¥181.0373 100:¥171.195 250:¥161.364	参考库存:4252