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无线和射频半导体
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STAC0912-250

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 960-1215 MHz LDMOS TRANSISTOR
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¥1,219.2926
18289.389
30
¥1,202.2409
36067.227
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
16 dB
输出功率
285 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
960 MHz to 1215 MHz
系列
STAC0912-250
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
928 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC0912-250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BGA616H6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
3,000:¥4.7234
参考库存:21174
M14A
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器 LO 4-16GHz NF <6.0dB IF DC-2GHz
1:¥5,892.7014
参考库存:2111
MASW-003103-001SMB
MACOM
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RF 开关 IC 50-20000MHz ISO 40dB Sample board
1:¥3,842.00
参考库存:2123
SW-313-PIN
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥1,408.7032
25:¥1,163.2785
50:¥930.6115
100:¥793.147
参考库存:2175
BFP 540 H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:36422

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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