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无线和射频半导体
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2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
优势价格，2SK3079ATE12LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6V13250HSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥2,209.2291
5:¥2,175.2613
10:¥2,142.9094
25:¥2,096.6585
50:¥2,064.4648
参考库存:31269
HMC-SDD112
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SPDT Switch, 55 - 86 GHz
25:¥891.8864
100:¥858.9921
参考库存:31274
ATA8202C-PXQW-1
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频接收器 Switchable Rx-IC Industrial (433MHz)
1:¥22.826
10:¥22.5096
25:¥18.984
100:¥18.2834
6,000:¥18.2834
参考库存:31279
MMRF1006HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:31284
MMA041AA
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 DC-26 GHz GaAs
25:¥550.8637
50:¥523.2804
100:¥506.918
参考库存:31289

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    50万现货SKU

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